Correction to transport cross-section of charged carriers in semiconductors
DOI:
https://doi.org/10.17072/1994-3598-2016-1-11-17Abstract
The analytical expressions for the corrections to transport cross-section for elastic scattering of charged carriers on the impurity ions are found. The corrections are connected with the influence of another impurity fields, distorting the ground (primly) ion’s field at long distance from it (small scattering angular). The renormalized method of corrections calculation to transport cross-section is developed, it’s considerably simplifying of intermediate calculations. The applicability of the formulas obtained is discussed. The main purpose of given investigation is to developing the new theoretical method for correct calculation of local corrections to transport cross-section of mobile carriers, scattering on ionized centers. The actuality of this theoretical investigation is connected with new achievements in the field of experimental physics and intensive development of effective theoretical methods calculation of kinetic parameters as well: charged carrier mobility, electronic conductivity. The results obtained can be applied in the physics of condensed matter, physics of plasma, state solid physics. Methods of research is based on the perturbative methods of classical and quantum mechanics, simple variational methods.Received 10.12.2015; accepted 27.01.2016References
Bonch-Bruevich V. L., Kalashnikov S. G. Fizika poluprovodnikov (Physics of semiconductors) Мoscow: Nauka, 1990. 688 p. (In Russian).
Kireev P. S. Semiconductor Physics. Мoscow: Mir, 1978. 693 p.
Blatt F. J. Physics of electronic conduction in solids. New-York: McGraw-Hill, 1968, 446 p.
Gershenzon E. M., Mel’nikov A. P., Rabinovich R. I., Serebryakova N. A. H-like impurity centers and molecular complexes created by them in semiconductors. Soviet Physics Uspekhi. 1980, vol. 23, pp. 684–698.
Varaksin A. N., Sobolev A. V., Panov V. G. Characteristics of F centers in the ground and excited states in alkali halide crystals. Physics of the Solid State. 2006, vol. 48, no. 3, pp. 453–459.
Panov V. G., Varaksin A. N., Sobolev A.B. On the 2s-like relaxed excited state of the F center in alkali halide crystals. Physics of the Solid State. 2008, vol. 50, no. 6, pp. 986–989.
Imamov E. Z., Kolchanova N. M., Kreshchuk L. N., Yassievich I. N. Rol' rasseianiia na melkikh neitral'nykh tsentrakh v kineticheskikh iavleniiakh pri nizkoi temperature (The role of scattering on small neutral centers on the kinetic phenomena at low temperatures). Physics of the Solid State. 1985, vol. 27, no. 1, pp. 69–76. (In Russian).
Muratov T. T. Influence of resonance scattering of charge carriers on electrical and thermal properties of covalent semiconductors. Vestnik St. Petersburg University, Series 4. 2012, no. 2, pp. 3–9. (In Russian).
Landau L. D., Lifshitz E. M. Course of theoretical physics. Mechanics. Vol. 1. UK: Pergamon Press, 1969. 224 p.
Landau L. D., Lifshitz E. M. Course of theoretical physics. Quantum mechanics. Vol. 3. UK: Pergamon Press, 1981. 689 p.
Lamonova K., Bekirov B., Ivanchenko I., Popenko N., Zhitlukhina E., Burkhovetskii V., Orel S., Pashkevich Yu. Specific features of the temperature behavior of the ESR spectra of Fe-doped mercury selenide. Low Temperature Physics. 2014, vol. 40, no. 7, pp. 842–850.
Ugai Ya. A. Vvedenie v khimiiu poluprovodnikov (Introduction to Chemistry of Semiconductors). Мoscow: “Vysshaia shkola”, 1965. 336 p. (In Russian).
Korshunov F. P., Kurilovich N. F., Prokhoren-ko T. A., Sheshelko V. K. Vliianie vodoroda na protsessy rasseianiia nositelei zariada v obluchennom γ-kvantami 60Co nelegirovannom GaAs n-tipa (Hydrogen influence on charge carries scattering in the non-alloyed n-GaAs irradiated by γ-quants 60Co). Problems of atomic science and technology. Series: Physics of radiation effect and radiation materials science. 2001, vol. 79, no 2, pp. 38–42 (In Russian).
Speransky D. S., Borzdov V. M., Pozdnyakov D. V. Monte-Carlo simulation of ionized impurity scattering in semiconductors and semiconductor structures. Doklady BGUIR. 2011, vol. 56. no. 2, pp. 33–39 (In Russian).
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
Автор предоставляет Издателю журнала (Пермский государственный национальный исследовательский университет) право на использование его статьи в составе журнала, а также на включение текста аннотации, полного текста статьи и информации об авторах в систему «Российский индекс научного цитирования» (РИНЦ).
Автор даёт своё согласие на обработку персональных данных.
Право использования журнала в целом в соответствии с п. 7 ст. 1260 ГК РФ принадлежит Издателю журнала и действует бессрочно на территории Российской Федерации и за её пределами.
Авторское вознаграждение за предоставление автором Издателю указанных выше прав не выплачивается.
Автор включённой в журнал статьи сохраняет исключительное право на неё независимо от права Издателя на использование журнала в целом.
Направление автором статьи в журнал означает его согласие на использование статьи Издателем на указанных выше условиях, на включение статьи в систему РИНЦ, и свидетельствует, что он осведомлён об условиях её использования. В качестве такого согласия рассматривается также направляемая в редакцию справка об авторе, в том числе по электронной почте.
Редакция размещает полный текст статьи на сайте Пермского государственного национального исследовательского университета: http://www.psu.ru и в системе OJS на сайте http://press.psu.ru
Плата за публикацию рукописей не взимается. Гонорар за публикации не выплачивается. Авторский экземпляр высылается автору по указанному им адресу.
