(untitled) (Вестник Пермского университета. Серия «Химия», 2020)
Изучено влияние условий формирования анодного оксида на электрохимическое поведение Co2Si-электрода в 0,5 MH2SO4. Показано, что если переход Co2Si в пассивную область осуществляется без задержки в области активного растворения, то скорость пассивного растворения Co2Si лишь ненамного превышает скорость растворения CoSi2. По кривым спада тока при E = constсделан вывод, что в середине пассивной области оксидная пленка на Co2Si растет по закону близкому к логарифмическому. Проанализированы спектры импеданса, полученные при измерениях от различных начальных потенциалов электрода.